Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2SB562C

2SB562C
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1 - 9 0.33€ 0.40€
10 - 24 0.32€ 0.39€
25 - 49 0.30€ 0.37€
50 - 99 0.28€ 0.34€
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2SB562C. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 350 MHz. Funzione: hFE 120...240. Corrente del collettore: 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 25V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD468. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.

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BC640

BC640

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: PNP/100V/1A BIPO...
BC640
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC639. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
BC640
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC639. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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BC639
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BC639
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BC639-16

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Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 ...
BC639-16
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BC639-16
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CCER100NF100V

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Capacità: 100nF. Diametro: 6mm. Nota: Tc--Y5V. Materiale del condensatore: ceramica. Passo: 5.08mm....
CCER100NF100V
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CCER100NF100V
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Quantità in magazzino : 28
2SC1845

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Costo): 1.6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 110 MHz. Funzione: A...
2SC1845
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Esaurito
Z0405NF

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Funzione: Cancello sensibile. Igt (massimo): 5mA. Igt (tipo): 5mA. Ih (max): 5mA. Ih (tipo): 5mA. IT...
Z0405NF
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2SC2383

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Costo): 20pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: CTV-NF/VA. Guadagno hFE massi...
2SC2383
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KSC945-G

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Piedinatura: 1. C(in): 1.5pF. Costo): 11pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: sili...
KSC945-G
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2SC536

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: uso generale. Co...
2SC536
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2SC536
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BC557B

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RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226. Co...
BC557B
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