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Semiconduttori Transistor Transistor bipolari PNP

Transistor NPN, TO-92, TO-92 (Ammo), 100V, 1A - BC640

Transistor NPN, TO-92, TO-92 (Ammo), 100V, 1A - BC640
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Transistor NPN, TO-92, TO-92 (Ammo), 100V, 1A - BC640. Transistor NPN, TO-92, TO-92 (Ammo), 100V, 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 (Ammo). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Corrente del collettore: 1A. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BC639. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Vcbo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 40. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Prodotto originale del produttore ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 04/09/2025, 04:56.

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BC640

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Transistor NPN, TO-92, TO-92 (Ammo), 100V, 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 (Ammo). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Corrente del collettore: 1A. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BC639. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Vcbo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 40. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W
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Transistor NPN, TO-92, TO-92 (Ammo), 100V, 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 (Ammo). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Corrente del collettore: 1A. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BC639. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Vcbo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 40. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W
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