Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BC640

BC640
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10 - 24 0.16€ 0.20€
25 - 49 0.15€ 0.18€
50 - 99 0.14€ 0.17€
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BC640. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC639. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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BC640

BC640

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: PNP/100V/1A BIPO...
BC640
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC639. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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BC639
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BC639-16

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BC639-16
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CCER100NF100V

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2SC1845
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Esaurito
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2SC536

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2SC536
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2SC536
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BC557B

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