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BF423

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BF423. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE minimo: 50. Corrente del collettore: 0.05A. Ic(impulso): 100A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BF422. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 23:25.

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BF421

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Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 50m...
BF421
Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 50mA. Ic(impulso): 100mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 830mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BF420. Diodo CE: sì
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Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 50mA. Ic(impulso): 100mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 830mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BF420. Diodo CE: sì
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