Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
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1 - 1 | 3.23€ | 3.94€ |
Qnéuantità | U.P | |
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1 - 1 | 3.23€ | 3.94€ |
2SC1846. Costo): 20pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 340. Guadagno hFE minimo: 85. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 1.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo planare epitassiale . Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126B-A1. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 45V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 35V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 02:25.
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