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BF420

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BF420. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE minimo: 50. Corrente del collettore: 500mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 800mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BF421. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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Costo): 3pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 0.5A. Equivalenti: KSP42. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 (ammo pak). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 500mV. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 6V. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) MPSA92. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
MPSA42
Costo): 3pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 0.5A. Equivalenti: KSP42. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 (ammo pak). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 500mV. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 6V. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) MPSA92. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Costo): 2pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 6V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Costo): 2pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 6V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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