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MPSA92

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MPSA92. Condizionamento: rotolo. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Transistor ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 2000. Spec info: transistor complementare (coppia) MPSA42. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 15:25.

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Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 50m...
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Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 50mA. Ic(impulso): 100mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 830mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BF420. Diodo CE: sì
BF421
Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 50mA. Ic(impulso): 100mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 830mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BF420. Diodo CE: sì
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Costo): 6pF. Unità di condizionamento: 2000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: si...
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Costo): 6pF. Unità di condizionamento: 2000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Transistor ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 500mA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor epitassiale al silicio PNP. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
KSP92TA
Costo): 6pF. Unità di condizionamento: 2000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Transistor ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 500mA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor epitassiale al silicio PNP. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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