Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

2SK2750

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2SK2750. C(in): 800pF. Costo): 65pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 1400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Chopper Regulator, DC-DC Converter. Id(imp): 14A. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: K2750. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 1.7 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 85 ns. Td(acceso): 50 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSV). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOS...
2SK3567
Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 14A. ID (T=100°C): 3.5A. ID (T=25°C): 3.5A. Ids: 100mA. Idss (massimo): 3.5A. Marcatura sulla cassa: K3567. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 1.7 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Protezione GS: sì
2SK3567
Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 14A. ID (T=100°C): 3.5A. ID (T=25°C): 3.5A. Ids: 100mA. Idss (massimo): 3.5A. Marcatura sulla cassa: K3567. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 1.7 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Protezione GS: sì
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