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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, TO-92, 150V - 2N5401

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, TO-92, 150V - 2N5401
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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, TO-92, 150V - 2N5401. Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, TO-92, 150V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 160V. Corrente collettore Ic [A], max.: 600mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. RoHS: sì. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N5401. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor PNP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V. Spec info: 2N5401. Quantità in stock aggiornata il 19/04/2025, 22:25.

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Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 150V. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Corrente collettore Ic [A], max.: 600mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2L. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 150V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.250W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor PNP. Marcatura sulla cassa: 2 L. Equivalenti: MMBT5401LT1G. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/codice SMD (codice data 2Lx)
MMBT5401
Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 150V. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Corrente collettore Ic [A], max.: 600mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2L. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 150V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.250W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor PNP. Marcatura sulla cassa: 2 L. Equivalenti: MMBT5401LT1G. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/codice SMD (codice data 2Lx)
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