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ST13009

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ST13009. Resistenza BE: 50. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 12A. Marcatura sulla cassa: ST13009L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Funzione: hFE 15...28. Quantità per scatola: 1. Spec info: ST13009L. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 02:25.

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Costo): 180pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 17. Guadagno hFE minimo: 8:1. Corrente del collettore: 12A. Ic(impulso): 24A. Marcatura sulla cassa: J13009. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.7us. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Costo): 180pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Commutazione rapida ad alta t...
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Costo): 180pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 28. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 12A. Ic(impulso): 24A. Marcatura sulla cassa: J13009-2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.7us. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Costo): 180pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 28. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 12A. Ic(impulso): 24A. Marcatura sulla cassa: J13009-2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.7us. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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