Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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FJP13009

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FJP13009. Costo): 180pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 17. Guadagno hFE minimo: 8:1. Corrente del collettore: 12A. Ic(impulso): 24A. Marcatura sulla cassa: J13009. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.7us. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 23:25.

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FJP13009H2

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Costo): 180pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Commutazione rapida ad alta t...
FJP13009H2
Costo): 180pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 28. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 12A. Ic(impulso): 24A. Marcatura sulla cassa: J13009-2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.7us. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Costo): 180pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 28. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 12A. Ic(impulso): 24A. Marcatura sulla cassa: J13009-2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.7us. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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KSE13009F

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Nota: limitazione di corrente 500mA. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione...
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Ubr [V] @ Ibr [A]: 400V @ 1mA. Ubr [V] @ Ibr [A]: 420V @ 1mA. Corrente di dispersione in chiusura Ir...
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Resistenza BE: 50. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 12A. Marcatura sulla ...
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