Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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FR157

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1 - 4 1.35€ 1.65€
5 - 9 1.28€ 1.56€
10 - 24 1.21€ 1.48€
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FR157. Do: 25pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: commutazione ad alta velocità. Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 60A. RM (max): 100uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms). Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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RGP30M

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. Nota: 125App/8.3ms. Numero di terminal...
RGP30M
Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. Nota: 125App/8.3ms. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD. VRRM: 1000V. Nota: GI, S
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Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. Nota: 125App/8.3ms. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD. VRRM: 1000V. Nota: GI, S
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RGP15M

RGP15M

Materiale semiconduttore: silicio. Nota: commutazione ad alta velocità. Nota: 50App/8.3ms. Assembla...
RGP15M
Materiale semiconduttore: silicio. Nota: commutazione ad alta velocità. Nota: 50App/8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-204. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-204AC. VRRM: 1000V
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Materiale semiconduttore: silicio. Nota: commutazione ad alta velocità. Nota: 50App/8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-204. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-204AC. VRRM: 1000V
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BYT56M

BYT56M

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Fu...
BYT56M
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di rettifica e commutazione molto veloce. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.4V. Tensione diretta Vf (min): 1.4V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)
BYT56M
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di rettifica e commutazione molto veloce. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.4V. Tensione diretta Vf (min): 1.4V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)
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