Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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SPD08N50C3

SPD08N50C3
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SPD08N50C3. C(in): 750pF. Costo): 350pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 370 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Capacità effettiva ultra bassa". Id(imp): 22.8A. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.6A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 08N50C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 83W. Rds sulla resistenza attiva: 0.50 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 560V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 09:25.

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C(in): 540pF. Costo): 44pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 315 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Capacità effettiva ultra bassa". Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 10NM60N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Rds sulla resistenza attiva: 0.53 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 32 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 650V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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