HUF75645S3S

HUF75645S3S. C(in): 3790pF. Costo): 810pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 145 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: UltraFET Power MOSFET. Id(imp): 430A. ID (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 75A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 75645 S. Pd (dissipazione di potenza, massima): 310W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0115 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 41 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: UltraFET Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-252AB ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.