Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 3.29€ | 4.01€ |
5 - 9 | 3.13€ | 3.82€ |
10 - 24 | 3.03€ | 3.70€ |
25 - 49 | 2.96€ | 3.61€ |
50 - 99 | 2.90€ | 3.54€ |
100 - 249 | 2.80€ | 3.42€ |
250 - 637 | 2.70€ | 3.29€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.29€ | 4.01€ |
5 - 9 | 3.13€ | 3.82€ |
10 - 24 | 3.03€ | 3.70€ |
25 - 49 | 2.96€ | 3.61€ |
50 - 99 | 2.90€ | 3.54€ |
100 - 249 | 2.80€ | 3.42€ |
250 - 637 | 2.70€ | 3.29€ |
Transistor a canale N, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AB ), 100V - HUF75645S3S. Transistor a canale N, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AB ), 100V. ID (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 75A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0115 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-252AB ). Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 3790pF. Costo): 810pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 145 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: UltraFET Power MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 430A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 75645 S. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 310W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 41 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: UltraFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Prodotto originale del produttore Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 16:25.
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