Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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IRF840

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IRF840. C(in): 1300pF. Costo): 310pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 460 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 4.8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 49 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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IRF840A

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C(in): 1018pF. Costo): 155pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 422 ns. Tipo di transistor: MOSFE...
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C(in): 1018pF. Costo): 155pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 422 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 26 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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C(in): 1018pF. Costo): 155pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 422 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 26 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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