IRF820

IRF820. Costo): 92pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 260 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 8A. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 33 ns. Td(acceso): 8 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. C(in): 360pF. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.