Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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IRF710

IRF710
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10 - 24 0.94€ 1.15€
25 - 49 0.88€ 1.07€
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IRF710. C(in): 170pF. Costo): 34pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 240 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 6A. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 2A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. Rds sulla resistenza attiva: 3.6 Ohms. RoHS: sì. Td(spento): 12 ns. Td(acceso): 8 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 400V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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IRF730
C(in): 700pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 270 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 22A. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.5A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 38 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 400V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS
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