TK20J50D

TK20J50D. C(in): 2600pF. Costo): 280pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 1700 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni dei regolatori di commutazione. Id(imp): 80A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 10uA. Marcatura sulla cassa: K20J50D. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 280W. Rds sulla resistenza attiva: 0.22 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 100 ns. Tecnologia: Tipo POWER MOS ad effetto di campo (MOSVII). Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 14:25.