SPP18P06P

SPP18P06P. C(in): 230pF. Costo): 95pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 70 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Modalità di miglioramento nominale dv/dt. Protezione GS: diodo. Id(imp): 74.8A. ID (T=100°C): 13.2A. ID (T=25°C): 18.7A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 0.1uA. Marcatura sulla cassa: 18P06P. Pd (dissipazione di potenza, massima): 81W. Rds sulla resistenza attiva: 0.102 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: SIPMOS Power-Transistor. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.7V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 09:25.