Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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SPP07N60S5

SPP07N60S5
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SPP07N60S5. C(in): 30pF. Costo): 55pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 750 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Capacità effettiva ultra bassa". Data di produzione: 2015/05. Id(imp): 14.6A. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 07N60S5. Pd (dissipazione di potenza, massima): 83W. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 170 ns. Td(acceso): 120ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 5.5V. Vgs(esimo) min.: 3.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: COOL MOS TRANSISTOR. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 09:25.

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C(in): 30pF. Costo): 55pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata nominale dv/dt estrema . Id(imp): 21.9A. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 07N65C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 83W. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 650V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS
Q67040-S4624
C(in): 30pF. Costo): 55pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata nominale dv/dt estrema . Id(imp): 21.9A. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 07N65C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 83W. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 650V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS
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