Transistor a canale N, 8.7A, 11A, 150uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v - IRF7807Z

Transistor a canale N, 8.7A, 11A, 150uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v - IRF7807Z. Transistor a canale N, 8.7A, 11A, 150uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 8.7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 150uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 770pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 31us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuito integrato per convertitori DC-DC. Id(imp): 88A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 10 ns. Td(acceso): 6.9ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.25V. Vgs(esimo) min.: 1.35V. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 01:25.