Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Q67040-S4624

Q67040-S4624
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1 - 4 4.64€ 5.66€
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10 - 24 4.17€ 5.09€
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Q67040-S4624. C(in): 30pF. Costo): 55pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata nominale dv/dt estrema . Id(imp): 21.9A. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 07N65C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 83W. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 650V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 15:25.

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STP10NK80Z
C(in): 2180pF. Costo): 205pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 645 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P10NK80Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. Rds sulla resistenza attiva: 0.78 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 65 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: SuperMESH ™Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Protezione con diodo Zener. Protezione GS: sì
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C(in): 2180pF. Costo): 205pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 645 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P10NK80Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. Rds sulla resistenza attiva: 0.78 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 65 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: SuperMESH ™Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Protezione con diodo Zener. Protezione GS: sì
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