Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 0.29 Ohms, TO-247, 11A, 17A, 250uA, TO-247, 800V - SPW17N80C3

Transistor a canale N, 0.29 Ohms, TO-247, 11A, 17A, 250uA, TO-247, 800V - SPW17N80C3
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Transistor a canale N, 0.29 Ohms, TO-247, 11A, 17A, 250uA, TO-247, 800V - SPW17N80C3. Transistor a canale N, 0.29 Ohms, TO-247, 11A, 17A, 250uA, TO-247, 800V. Rds sulla resistenza attiva: 0.29 Ohms. Alloggiamento: TO-247. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 800V. Tipo di canale: N. C(in): 2320pF. Costo): 1250pF. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Carica gate ultra bassa". Protezione GS: sì. Id(imp): 51A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 17N80C3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 77 ns. Td(acceso): 45 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Prodotto originale del produttore Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 04/09/2025, 04:56.

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SPP17N80C3

SPP17N80C3

Transistor a canale N, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=2...
SPP17N80C3
Transistor a canale N, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.25 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 2320pF. Costo): 1250pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Carica gate ultra bassa". Protezione GS: NINCS. Id(imp): 51A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 17N80C3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 77 ns. Td(acceso): 45 ns. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 3V
SPP17N80C3
Transistor a canale N, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.25 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 2320pF. Costo): 1250pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Carica gate ultra bassa". Protezione GS: NINCS. Id(imp): 51A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 17N80C3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 77 ns. Td(acceso): 45 ns. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 3V
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Resistenza, 0.1W, 100 Ohms. Dissipazione nominale [W@°C]: 0.1W. Resistenza: 100 Ohms. RoHS: sì. Fa...
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SPW17N80C3
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