Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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SPW17N80C3

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SPW17N80C3. C(in): 2320pF. Costo): 1250pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Carica gate ultra bassa". Id(imp): 51A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 17N80C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. Rds sulla resistenza attiva: 0.29 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 77 ns. Td(acceso): 45 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.

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C(in): 2320pF. Costo): 1250pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Carica gate ultra bassa". Id(imp): 51A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 17N80C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. Rds sulla resistenza attiva: 0.25 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 77 ns. Td(acceso): 45 ns. Tecnologia: Cool Mos. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS
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