Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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SPP11N60C3

SPP11N60C3
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5 - 9 3.62€ 4.42€
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SPP11N60C3. C(in): 1200pF. Costo): 390pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata nominale dv/dt estrema . Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 0.1uA. Marcatura sulla cassa: 11N60C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.34 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 44 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER trafnsistor. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 650V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 09:25.

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C(in): 1148pF. Costo): 671pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 390 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: ID pulse 33A. Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.32 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 119 ns. Td(acceso): 34 ns. Tecnologia: SuperFET MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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