Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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FCP11N60

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FCP11N60. C(in): 1148pF. Costo): 671pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 390 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: ID pulse 33A. Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.32 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 119 ns. Td(acceso): 34 ns. Tecnologia: SuperFET MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 15:25.

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C(in): 1000pF. Costo): 230pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 390 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 6 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: MDmesh Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Protezione GS: NINCS
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C(in): 1000pF. Costo): 230pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 390 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 6 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: MDmesh Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Protezione GS: NINCS
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