Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 5.73€ | 6.99€ |
2 - 2 | 5.45€ | 6.65€ |
3 - 4 | 5.16€ | 6.30€ |
5 - 9 | 4.87€ | 5.94€ |
10 - 19 | 4.76€ | 5.81€ |
20 - 29 | 4.65€ | 5.67€ |
30 - 51 | 4.47€ | 5.45€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 5.73€ | 6.99€ |
2 - 2 | 5.45€ | 6.65€ |
3 - 4 | 5.16€ | 6.30€ |
5 - 9 | 4.87€ | 5.94€ |
10 - 19 | 4.76€ | 5.81€ |
20 - 29 | 4.65€ | 5.67€ |
30 - 51 | 4.47€ | 5.45€ |
Transistor a canale N, 9A, 100uA, 1.1 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 900V - 2SK2611. Transistor a canale N, 9A, 100uA, 1.1 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 900V. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1B. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 2040pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 1.6us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: High Speed, H.V. Id(imp): 27A. Marcatura sulla cassa: K2611. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 95 ns. Td(acceso): 60 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIII). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 12:25.
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