Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2SK2611

2SK2611
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2SK2611. C(in): 2040pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 1.6us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: High Speed, H.V. Id(imp): 27A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: K2611. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 95 ns. Td(acceso): 60 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIII). Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1B. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 09:25.

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C(in): 3500pF. Costo): 270pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 560 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: capacità dv/dt estremamente elevata, applicazioni di commutazione. Id(imp): 33.2A. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 8.3A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: W11NK100Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 98 ns. Td(acceso): 27 ns. Tecnologia: Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 1000V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì
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C(in): 3500pF. Costo): 270pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 560 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: capacità dv/dt estremamente elevata, applicazioni di commutazione. Id(imp): 33.2A. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 8.3A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: W11NK100Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 98 ns. Td(acceso): 27 ns. Tecnologia: Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 1000V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì
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