Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 5.2A, 8.3A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V - STW11NK100Z

Transistor a canale N, 5.2A, 8.3A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V - STW11NK100Z
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Transistor a canale N, 5.2A, 8.3A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V - STW11NK100Z. Transistor a canale N, 5.2A, 8.3A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 8.3A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 1000V. C(in): 3500pF. Costo): 270pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 560 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: capacità dv/dt estremamente elevata, applicazioni di commutazione. Id(imp): 33.2A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: W11NK100Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 98 ns. Td(acceso): 27 ns. Tecnologia: Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 12:25.

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Transistor a canale N, 3.9A, 6.1A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 1000V. ID (T=100°C): 3.9A. ID (...
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Transistor a canale N, 3.9A, 6.1A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 1000V. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.1A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 2 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 1000V. C(in): 2800pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 630 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 24A. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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Transistor a canale N, 3.9A, 6.1A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 1000V. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.1A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 2 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 1000V. C(in): 2800pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 630 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 24A. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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