IRFPG50

IRFPG50. C(in): 2800pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 630 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.1A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. Rds sulla resistenza attiva: 2 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 1000V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.