Transistor

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Power MOSFET. Id(imp): 40Ap. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 6.2A. Idss (massimo): 20uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3W. Rds sulla resistenza attiva: 0.026 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 52 ns. Td(acceso): 12.5 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 80V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N-P. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: D-S-MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2. Funzione: IDM--20App, td(on)--12&8nS, td(off)--23&21nS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: SI4532ADY-T1-E3. Tensione drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.7A/-3A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.053 Ohms/0.08 Ohms @ 4.9/-3.9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns/8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 23/21 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 500pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.13W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 340pF. Costo): 67pF. Tipo di canale: N-P. Diodo Trr (min.): 30 ns. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: D-S-MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2. Funzione: IDM--24&15App, td(on)--7.5&5.5nS, td(off)--14&17nS. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: SI4532CDY-T1-E3. Tensione drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A/-3.4A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms/0.14 Ohms @ 5.2/-3.4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns/10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 25/30 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 305/340pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.14W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Tipo di canale: N-P. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: D-S-MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2. Funzione: IDM--30&30App, td(on)--6&7nS, td(off)--30&40nS

Tipo di canale: N-P. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: D-S-MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2. Funzione: IDM--20&20App, td(on)--6&13nS, td(off)--18&47nS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: SI4559EY. Tensione drain-source Uds [V]: 60V/-60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A/-3.1A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms/0.075 Ohms @ 4.5/-3.9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns/8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 36/12ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.4W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 40Ap. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (massimo): 5uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 4800B. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0155 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 32 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET Reduced Qg. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 1.8V. Vgs(esimo) min.: 0.8V. Quantità per scatola: 1. Funzione: MOSFET di potenza a commutazione rapida. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 2000pF. Costo): 260pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 30 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (T=100°C): 9.9A. ID (T=25°C): 12.4A. Idss (massimo): 5uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0074 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 40V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: sì

Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 60 ns. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 7.1A. Idss (massimo): 7.1A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.02 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Quantità per scatola: 2. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: P. ID (T=100°C): 5.9A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (massimo): 7.3A. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.024 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Quantità per scatola: 2. Funzione: td(on) 10ns, td(off) 45ns

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 30 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 30 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 840pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.6W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0,052 Ohm a 4,7 A. Marcatura del produttore: SI4946BEY-T1-E3

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: SI4946EY-T1-E3. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 4.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 60 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.4W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Tipo di canale: P. Condizionamento: rotolo. ID (T=25°C): 2.4A. Idss (massimo): 2.4A. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.4W. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Quantità per scatola: 2. Unità di condizionamento: 2500

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: SI4948BEY-T1-GE3. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.1A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ -3.1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 75 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 800pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.4W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 600pF. Costo): 70pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 30 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 4.7A. Idss (massimo): 10nA. ID (min): 1nA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.2W. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): TO-263AB. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: SI9410BDY-E3. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.2A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.024 Ohms @ 8.1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 45 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. ID (T=25°C): 5.3A. Idss (massimo): 5.3A. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.055 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: V-MOS. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Quantità per scatola: 1

Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: (G-S) MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2

Funzione: 9.31k Ohms. Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: 2xN-CH 30V. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: SI9936BDY. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 40 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 550pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: SMD. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2

Diodo Trr (min.): 45 ns. Funzione: 9.31k Ohms. ID (T=100°C): 3.7A. Idss (massimo): 3.2A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1uA. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: 2xN-CH 60V. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: SI9953DY. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.3A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 40 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 90 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 500pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C