Transistor

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: P4. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.6A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 75 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 235pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.7W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: L6. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.057 Ohms @ 2.8A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 25 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 305pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.8W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: L7. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.5A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ -2.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 40 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 380pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.75W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: L7. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.5A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ -2.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 40 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 380pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.75W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: N7. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.7A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.138 Ohms @ -2.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 60 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 40 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 340pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.8W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: L8. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.3A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.192 Ohms @ 1.7A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 6 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 15 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 190pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.66W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: N9. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.2A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.34 Ohms @ -1.25A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 60 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 25 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 210pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.7W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: M5. Tensione drain-source Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -3.4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -0.9V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 70 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 715pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.75W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: P7. Tensione drain-source Uds [V]: -40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.1A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohm @ -4.4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 60 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 27 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 595pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.8W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: D3. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.7A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.039 Ohms @ -4.7A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -1.0V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 25 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 71 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1020pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.75W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 3. Tensione drain-source Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -7.1A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ -5.1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -1V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 70 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1225pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: O4. Tensione drain-source Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ -5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -1V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 26 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 45 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1275pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 50 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 1.95A. ID (T=25°C): 2.45A. Idss (massimo): 5nA. ID (min): 1nA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1nA. Rds sulla resistenza attiva: 0.07 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Alloggiamento: TSOP. Custodia (secondo scheda tecnica): TSOP-6. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 20V. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Vgs(esimo) min.: 0.45V. Numero di terminali: 6. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 35ms. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (T=100°C): 5.9A. ID (T=25°C): 8.7A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 97 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 40V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 45ms. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (T=100°C): 5.9A. ID (T=25°C): 8.7A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.013 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 40V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 10A. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.013 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: D-S-MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Quantità per scatola: 1

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: SI4410BDY. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.5A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 10A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 40 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.4W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 50A. ID (T=100°C): 10.5A. ID (T=25°C): 13.5A. Idss (massimo): 13.5A. Marcatura sulla cassa: 4420AP. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.008 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: D-S-MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Quantità per scatola: 1

Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 41ms. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (T=100°C): 9.1A. ID (T=25°C): 11.4A. Idss (massimo): 5uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.01 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: SI4431BDY-T1-E3. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.7A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.03 Ohms @ -7.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 110 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1600pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: SI4431CDY-T1-GE3. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.6A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ -7A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 23 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1006pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.6W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 60 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (T=100°C): 5.6A. ID (T=25°C): 7A. Idss (massimo): 5uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.015 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 110 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 8.8A. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.015 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: D-S-MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Quantità per scatola: 1

C(in): 12350pF. Costo): 2775pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 84 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Power MOSFET. Id(imp): 70A. ID (T=100°C): 26A. ID (T=25°C): 32A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 7.8W. Rds sulla resistenza attiva: 17m Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 240 ns. Td(acceso): 38 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 12V. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Vgs(esimo) massimo: 1V. Vgs(esimo) min.: 0.4V. Quantità per scatola: 1. Spec info: Id--40...50A t=10s with FR4 board. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Power MOSFET. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 4.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 20uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.026 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 52 ns. Td(acceso): 12.5 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 80V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS