Transistor

C(in): 30pF. Costo): 8pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: Amplificatore per usi generali. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 75. Corrente del collettore: 0.8A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 30 ns. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92AMMO. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2907A. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 800mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 200 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor PNP

C(in): 3195pF. Costo): 221pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 52 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione standard. Id(imp): 272A. ID (T=100°C): 47A. ID (T=25°C): 68A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 0.06uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 170W. Rds sulla resistenza attiva: 13.9m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 52.5 ns. Td(acceso): 20.7 ns. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK (SOT404). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 4900pF. Costo): 390pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 240A. ID (T=100°C): 60.8A. ID (T=25°C): 75A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 0.05uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 12m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 95 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: "transistor a effetto di campo in modalità potenziata". Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB ( SOT78 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Spec info: IDM--240A (Tmb 25°C; pulsed). Protezione GS: NINCS

C(in): 4720pF. Costo): 456pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 118 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 200A. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 50A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 0.05uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 79 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: "transistor a effetto di campo in modalità potenziata". Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB ( SOT78 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 150V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 30 milliOhms. Unità di condizionamento: 50. Spec info: IDM 200A (Tmb 25°C; pulsed). Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-363. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 6. Marcatura del produttore: B*1. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 180 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: doppio transistor PNP

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-363. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 6. Marcatura del produttore: D*2. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 180 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: coppia di transistor NPN e PNP

C(in): 30pF. Costo): 55pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata nominale dv/dt estrema . Id(imp): 21.9A. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 07N65C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 83W. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 650V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

C(in): 2930pF. Costo): 1150pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 50 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 380A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 0.1uA. Marcatura sulla cassa: 2N03L04. Pd (dissipazione di potenza, massima): 188W. Rds sulla resistenza attiva: 5M Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 54 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: Cool Mos. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1.2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Enhancement mode, Logic Level. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-251AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: RFD14N05L. Tensione drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 14A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 42 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 670pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 48W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: F14N05. Tensione drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 14A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 42 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 670pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 48W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 850pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: diodo. ID (T=25°C): 12A. Ids: 1uA. Idss (massimo): 12A. Marcatura sulla cassa: F3055L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. Rds sulla resistenza attiva: 0.15 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: "MOSFET di potenza in modalità potenziamento". Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaggio Vds(max): 60V. Quantità per scatola: 1. Funzione: controllo del livello logico, protezione ESD

Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 125us. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 25uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: D8P05. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. Rds sulla resistenza attiva: 0.3 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 42 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: Power MOSFET MegaFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 50V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: ID pulse 20A. Protezione GS: NINCS

C(in): 900pF. Costo): 325pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: F12N10L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Rds sulla resistenza attiva: 0.20 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 15 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+155°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 10V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Tecnologia: MegaFET process, Power MOSFET. Spec info: N-Channel Logic Level Power MOSFET. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: MegaFET. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 12A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 53W. Rds sulla resistenza attiva: 0.15 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "MOSFET di potenza in modalità potenziamento". Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 60V. Quantità per scatola: 1

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: RFP3055LE. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.107 Ohms @ 8A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 22 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 350pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 38W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: RFP50N06. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 50A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 37 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2020pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 131W. Rds sulla resistenza attiva: 0.022 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 37 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Custodia (standard JEDEC): 50

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: RFP70N06. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 70A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 70A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 32 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2250pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 32 ns. Td(acceso): 10 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Custodia (standard JEDEC): 50. Tecnologia: MegaFET process, Power MOSFET. Spec info: Modello PSPICE® con compensazione della temperatura

Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 23 ns. Corrente del collettore: 35A. Ic(impulso): 250A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 20 ns. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PSG. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 330V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 30 v. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Spec info: trr 0.1us. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 23 ns. Corrente del collettore: 35A. Ic(impulso): 250A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 20 ns. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PSG. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 330V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 30 v. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Spec info: trr 0.06us. Diodo CE: sì

C(in): 1200pF. Costo): 80pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 23 ns. Compatibilità: Samsung PS42C450B1WXXU. Funzione: Commutazione di potenza ad alta velocità. Corrente del collettore: 35A. Ic(impulso): 250A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 0.06 ns. Td(acceso): 0.02 ns. Tecnologia: Trench gate and thin wafer technology G6H-II ser. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PSG. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.9V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 30 v. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Spec info: trr 0.06us. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Tipo di transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 20A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 178W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Field Effect Power MOSFET. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 500V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 40A. Idss (massimo): 40A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor MOSFET a canale N. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 500V. Quantità per scatola: 1. Funzione: Trr 450ns, td(on) 52ns, td(off) 180ns

C(in): 85pF. Costo): 40pF. Tipo di canale: N. Funzione: IGBT. Corrente del collettore: 30A. Ic(impulso): 250A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 90 ns. Td(acceso): 40 ns. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 360V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 30 v. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Numero di terminali: 3. Spec info: 150ns, 30W, 40A. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 1250pF. Costo): 40pF. Tipo di canale: P. Corrente del collettore: 40A. Ic(impulso): 200A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 20 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 630V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 30 v. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Numero di terminali: 3. Spec info: Panasonic--TX-P50VT20EA. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS