Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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RFD8P05SM

RFD8P05SM
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5 - 9 1.94€ 2.37€
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25 - 49 1.73€ 2.11€
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RFD8P05SM. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 125us. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 25uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: D8P05. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. Rds sulla resistenza attiva: 0.3 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 42 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: Power MOSFET MegaFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 50V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: ID pulse 20A. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.

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SPD08P06P

SPD08P06P

C(in): 335pF. Costo): 105pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 60...
SPD08P06P
C(in): 335pF. Costo): 105pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 60us. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 6.2A. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 0.1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Rds sulla resistenza attiva: 0.23 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 48 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: SIPMOS Power-Transistor. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: ID pulse 35.2A. Protezione GS: NINCS
SPD08P06P
C(in): 335pF. Costo): 105pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 60us. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 6.2A. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 0.1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Rds sulla resistenza attiva: 0.23 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 48 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: SIPMOS Power-Transistor. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: ID pulse 35.2A. Protezione GS: NINCS
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