PSMN035-150P

PSMN035-150P. C(in): 4720pF. Costo): 456pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 118 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 200A. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 50A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 0.05uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 79 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: "transistor a effetto di campo in modalità potenziata". Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB ( SOT78 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 150V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 30 milliOhms. Unità di condizionamento: 50. Spec info: IDM 200A (Tmb 25°C; pulsed). Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 14/01/2025, 13:25.