Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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RFD3055LESM

RFD3055LESM
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RFD3055LESM. C(in): 850pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: diodo. ID (T=25°C): 12A. Ids: 1uA. Idss (massimo): 12A. Marcatura sulla cassa: F3055L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. Rds sulla resistenza attiva: 0.15 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: "MOSFET di potenza in modalità potenziamento". Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaggio Vds(max): 60V. Quantità per scatola: 1. Funzione: controllo del livello logico, protezione ESD. Quantità in stock aggiornata il 14/01/2025, 13:25.

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