Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale P, 11A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V - IRFR9024N

Transistor a canale P, 11A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V - IRFR9024N
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Transistor a canale P, 11A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V - IRFR9024N. Transistor a canale P, 11A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 350pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 47 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 8A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 38W. Rds sulla resistenza attiva: 0.175 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 23 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Prodotto originale del produttore Infineon (irf). Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 16:25.

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IRFU9024N

IRFU9024N

Transistor a canale P, 11A, 250uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. ID (T=25°C): 11A. Ids...
IRFU9024N
Transistor a canale P, 11A, 250uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 350pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 47 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 8A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 38W. Rds sulla resistenza attiva: 0.175 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 23 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
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