Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BUZ11

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BUZ11. C(in): 1500pF. Costo): 750pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=100°C): 19A. ID (T=25°C): 30A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 20uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Rds sulla resistenza attiva: 0.03 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 180 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 50V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.

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