Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.66€ | 2.03€ |
5 - 9 | 1.58€ | 1.93€ |
10 - 24 | 1.49€ | 1.82€ |
25 - 49 | 1.41€ | 1.72€ |
50 - 99 | 1.38€ | 1.68€ |
100 - 205 | 1.24€ | 1.51€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.66€ | 2.03€ |
5 - 9 | 1.58€ | 1.93€ |
10 - 24 | 1.49€ | 1.82€ |
25 - 49 | 1.41€ | 1.72€ |
50 - 99 | 1.38€ | 1.68€ |
100 - 205 | 1.24€ | 1.51€ |
IRF9540. C(in): 1400pF. Costo): 590pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 130 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 72A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 19A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Rds sulla resistenza attiva: 0.20 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 34 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 15:25.
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