Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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IRF640N

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IRF640N. C(in): 1160pF. Costo): 185pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 167 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 72A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 18A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Rds sulla resistenza attiva: 0.15 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 23 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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