Transistor a canale P, 11A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF9640

Transistor a canale P, 11A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF9640. Transistor a canale P, 11A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 1200pF. Costo): 370pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 6.6A. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.3 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 39 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Potenza: 125W. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 12:25.