Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.43€ | 1.74€ |
5 - 9 | 1.36€ | 1.66€ |
10 - 24 | 1.32€ | 1.61€ |
25 - 31 | 1.29€ | 1.57€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.43€ | 1.74€ |
5 - 9 | 1.36€ | 1.66€ |
10 - 24 | 1.32€ | 1.61€ |
25 - 31 | 1.29€ | 1.57€ |
Transistor a canale N, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF640. Transistor a canale N, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 18A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.18 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 1300pF. Costo): 430pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 72A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 4 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Prodotto originale del produttore Vishay. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 04:25.
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