IRF540N

IRF540N. C(in): 1960pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 115 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 33A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Rds sulla resistenza attiva: 0.044 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 39 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.