IRF540NS

IRF540NS. C(in): 1400pF. Costo): 330pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 170 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 33A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Equivalenti: IRF540NSPBF. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. Rds sulla resistenza attiva: 0.052 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 44 ns. Td(acceso): 8.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.