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IRFR9024

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IRFR9024. C(in): 570pF. Costo): 360pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100us. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 5.6A. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Rds sulla resistenza attiva: 0.28 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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