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Transistor a canale P, 8.8A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V - IRFR9024

Transistor a canale P, 8.8A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V - IRFR9024
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Transistor a canale P, 8.8A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V - IRFR9024. Transistor a canale P, 8.8A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 570pF. Costo): 360pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100us. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 5.6A. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Rds sulla resistenza attiva: 0.28 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 12:25.

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Transistor a canale P, 8.8A, 500uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 570pF. Costo): 360pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 5.6A. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Rds sulla resistenza attiva: 0.28 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS
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