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2SC2238

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2SC2238. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Corrente del collettore: 1.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA968. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 23:25.

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Costo): 30pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100MHz. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE...
2SC2344
Costo): 30pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100MHz. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 1.5A. Ic(impulso): 3A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Vebo: 6V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Commutazione ad alta tensione, amplificatore di potenza AF. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1011. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SC2344
Costo): 30pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100MHz. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 1.5A. Ic(impulso): 3A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Vebo: 6V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Commutazione ad alta tensione, amplificatore di potenza AF. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1011. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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