Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.18€ | 1.44€ |
5 - 9 | 1.12€ | 1.37€ |
10 - 24 | 1.09€ | 1.33€ |
25 - 49 | 1.07€ | 1.31€ |
50 - 75 | 1.04€ | 1.27€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.18€ | 1.44€ |
5 - 9 | 1.12€ | 1.37€ |
10 - 24 | 1.09€ | 1.33€ |
25 - 49 | 1.07€ | 1.31€ |
50 - 75 | 1.04€ | 1.27€ |
Transistor a canale P, 31A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V - IRFR5305. Transistor a canale P, 31A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=25°C): 31A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 1200pF. Costo): 520pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 71ms. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 22A. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: IRFR5305. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Rds sulla resistenza attiva: 0.065 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 39 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET ® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Prodotto originale del produttore International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 06/06/2025, 19:25.
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