Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.98€ | 1.20€ |
5 - 9 | 0.93€ | 1.13€ |
10 - 24 | 0.88€ | 1.07€ |
25 - 49 | 0.83€ | 1.01€ |
50 - 99 | 0.81€ | 0.99€ |
100 - 174 | 0.74€ | 0.90€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.98€ | 1.20€ |
5 - 9 | 0.93€ | 1.13€ |
10 - 24 | 0.88€ | 1.07€ |
25 - 49 | 0.83€ | 1.01€ |
50 - 99 | 0.81€ | 0.99€ |
100 - 174 | 0.74€ | 0.90€ |
IRFR024N. C(in): 370pF. Costo): 140pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 56 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 0.075 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 19 ns. Td(acceso): 4.9 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.
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