RFP12N10L

RFP12N10L. C(in): 900pF. Costo): 325pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: F12N10L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Rds sulla resistenza attiva: 0.20 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 15 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+155°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 10V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Tecnologia: MegaFET process, Power MOSFET. Spec info: N-Channel Logic Level Power MOSFET. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 14/01/2025, 13:25.