Transistor

C(in): 25pF. Costo): 10pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Interfaccia e commutazione. Id(imp): 0.8A. ID (T=25°C): 115mA. Idss (massimo): 115mA. Marcatura sulla cassa: RKM. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.2W. Rds sulla resistenza attiva: 7.5 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: Silicon N-channel MOSFET. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Costo): 100pF. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: DTR.. Corrente del collettore: 0.1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.2W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Spec info: serigrafia/codice CMS XJ

C(in): 780pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: rotolo. Protezione drain-source: diodo. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitore di tensione CC-CC. Id(imp): 14A. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (massimo): 1uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: TM. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.25W. Rds sulla resistenza attiva: 65m Ohms. RoHS: sì. Passo: 2.9x1.6mm. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Alloggiamento: TSOP. Custodia (secondo scheda tecnica): TSMT6. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 6. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 3000. Protezione GS: sì

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 10A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 2.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Rds sulla resistenza attiva: 0.074 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: N-Ch MOS FET. Custodia (secondo scheda tecnica): TSMT3. Voltaggio Vds(max): 30 v. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD QY. Funzione: commutazione di potenza, convertitori DC/DC

C(in): 1830pF. Costo): 410pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. ID (T=25°C): 9.5A. Idss (massimo): 1uA. Marcatura sulla cassa: TB. Numero di terminali: 8:1. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 78 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: MOSFET N canali con azionamento da 4 V. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 45V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Quantità per scatola: 1. Funzione: commutazione di potenza, convertitori DC/DC, inverter. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 10A. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0125 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: MOSFET N canali con azionamento da 4 V. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Quantità per scatola: 1

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: ITO-218. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: S2000N. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 1.5 kV. Corrente collettore Ic [A], max.: 8A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 2 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 1500V. Corrente del collettore: 8A. Potenza: 50W. Diodo incorporato: sì. Alloggiamento: TO-247-T

Costo): 9pF. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247F. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 35pF. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: NF/L, HI-FI Audio. Corrente del collettore: 15A. Nota: hFE 5000...20000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Spec info: transistor complementare (coppia) SAP15P. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 35pF. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: NF/L, HI-FI Audio. Corrente del collettore: 15A. Nota: hFE 5000...20000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Spec info: transistor complementare (coppia) SAP15P. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Funzione: Transistor MOSFET N. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 20A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Cool Mos. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Quantità per scatola: 1

Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 4.4A. Idss (massimo): 4.4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 33W. Rds sulla resistenza attiva: 0.8 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Advanced Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 200V. Quantità per scatola: 1

Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 28W. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Tecnologia: V-MOS (F). Voltaggio Vds(max): 200V. Quantità per scatola: 1

Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 3.4A. Idss (massimo): 3.4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 33W. Rds sulla resistenza attiva: 1.3 Ohms. Tecnologia: V-MOS TO220F. Voltaggio Vds(max): 250V. Quantità per scatola: 1. Nota: On 13ns, Off 40ns

C(in): 1970pF. Costo): 310pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Diodo Trr (min.): 50 ns. Funzione: IGBT ad alta velocità. Corrente del collettore: 48A. Ic(impulso): 90A. Ic(T=100°C): 30A. Marcatura sulla cassa: G30N60RUFD. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 235W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 54 ns. Td(acceso): 30 ns. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5V. Spec info: Ic 48A @ 25°C, 30A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3PN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: SGH80N60UF. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 80A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 23 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 130 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6.5V. Dissipazione massima Ptot [W]: 195W. Corrente massima del collettore (A): 220A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 550pF. Costo): 62pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Corrente del collettore: 20A. Ic(impulso): 40A. Ic(T=100°C): 10.6A. Marcatura sulla cassa: G10N60A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 92W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 178 ns. Td(acceso): 28 ns. Tecnologia: IGBT veloce in tecnologia NPT. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.7V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Funzione: Comandi motore, inverter. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

RoHS: sì. C(in): 1250pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Diodo Trr (min.): 3. Corrente del collettore: 30A. Ic(impulso): 52A. Ic(T=100°C): 15A. Marcatura sulla cassa: G15N120. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 198W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 580 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: IGBT veloce in tecnologia NPT. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Funzione: Controlli motore, inverter, SMPS. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

RoHS: sì. C(in): 1600pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Diodo Trr (min.): 3. Corrente del collettore: 41A. Ic(impulso): 112A. Ic(T=100°C): 30A. Marcatura sulla cassa: G30N60. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 291 ns. Td(acceso): 44 ns. Tecnologia: IGBT veloce in tecnologia NPT. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.7V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Funzione: Comandi motore, inverter. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: G30N60HS. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 41A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 16 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 122 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Dissipazione massima Ptot [W]: 250W. Corrente massima del collettore (A): 112A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Costo): 8pF. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 850V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: SGW25N120. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 1.2 kV. Corrente collettore Ic [A]: 46A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 60 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 990 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Dissipazione massima Ptot [W]: 313W. Corrente massima del collettore (A): 84A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: G30N60. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 41A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 53 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 389 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Dissipazione massima Ptot [W]: 250W. Corrente massima del collettore (A): 112A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: G30N60HS. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 41A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 16 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 122 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Dissipazione massima Ptot [W]: 250W. Corrente massima del collettore (A): 112A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Custodia (standard JEDEC): tubo di plastica. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 106 ns. Td(acceso): 16 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.9V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V