Transistor

Funzione: 27.5 & 34m Ohms). Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SOP-8. Quantità per scatola: 2

C(in): 790pF. Costo): 175pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 15.5 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Miglioramento del livello logico. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 10A. Ids: 1uA. Idss (massimo): 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 32W. Rds sulla resistenza attiva: 0.03 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 11.8 ns. Td(acceso): 2.2 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaggio Vds(max): 40V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N-P. Funzione: 28 & 65m Ohms). Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SOP-8. Quantità per scatola: 2

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: P2N2222A. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Corrente collettore Ic [A], max.: 600mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

C(in): 860pF. Costo): 450pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 30A. Ids: 0.1uA. Idss (massimo): 30A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.014 Ohms. Protezione GS: NINCS

C(in): 2780pF. Costo): 641pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 34 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. ID (T=25°C): 50A. Ids: 50uA. Idss (massimo): 50A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 59.5W. Rds sulla resistenza attiva: 5.1M Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 8 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-263 (D2PAK). Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

C(in): 1200pF. Costo): 600pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 70 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Modalità di miglioramento del livello logico. Id(imp): 150A. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. Ids: 25uA. Idss (massimo): 50A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 15m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaggio Vds(max): 20V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

C(in): 690pF. Costo): 310pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 15.5 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Miglioramento del livello logico. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 28W. Rds sulla resistenza attiva: 0.065 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 19.8 ns. Td(acceso): 6.7 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 40V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

C(in): 5000pF. Costo): 1800pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 37 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Modalità di miglioramento del livello logico. Id(imp): 170A. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 75A. Ids: 25uA. Idss (massimo): 75A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Rds sulla resistenza attiva: 5M Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 24 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaggio Vds(max): 20V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Costo): 35pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Guadagno hFE massimo: 500. Guadagno hFE minimo: 75. Corrente del collettore: 6.2A. Ic(impulso): 15A. Nota: transistor complementare (coppia) PBSS4041PX. Marcatura sulla cassa: 6F. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf (tipo): 220 ns. Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 35mV. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 320mV. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V. Funzione: commutazione ad alta corrente, tensione a bassa saturazione . Spec info: serigrafia/codice SMD 6F. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 85pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 110 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 80. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 15A. Nota: PBSS4041NX. Marcatura sulla cassa: 6g. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf (tipo): 75 ns. Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT89 (SC-62). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 60mV. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 300mV. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V. Funzione: commutazione ad alta corrente, tensione a bassa saturazione . Spec info: serigrafia/codice SMD 6G. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Transistor con resistenza di polarizzazione incorporata. Guadagno hFE minimo: 80. Corrente del collettore: 100mA. Ic(impulso): 100mA. Marcatura sulla cassa: *08. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 10V. Spec info: serigrafia/codice SMD P08/T08

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Transistor di commutazione NPN. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 15V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità per scatola: 1. Spec info: 130.41594. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

C(in): 920pF. Costo): 260pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 52 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor di potenza ad effetto di campo, Controllo del livello logico. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 45A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 0.05uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 86W. Rds sulla resistenza attiva: 0.016 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 78 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: TrenchMOS transistor. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-404. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 25V. Voltaggio gate/source Vgs: 15V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor di potenza ad effetto di campo, Controllo del livello logico. Id(imp): 180A. ID (T=25°C): 45A. Idss (massimo): 45A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 86W. Rds sulla resistenza attiva: 0.016 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: TrenchMOS transistor. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 25V. Quantità per scatola: 1

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (T=100°C): 6.2A. ID (T=25°C): 8.7A. Idss (massimo): 8.7A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 88W. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: V-MOS SOT78. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 500 MHz. Corrente del collettore: 0.2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 15V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Spec info: serigrafia/codice SMD P1J, T1J. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

C(in): 30pF. Costo): 8pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 0.6A. Ic(impulso): 0.8A. Marcatura sulla cassa: p2X, t2X, W2X. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.75V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 6V. Spec info: serigrafia/codice SMD P2X, T2X, W2X, transistor complementare (coppia) PMBT4401. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 29pF. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 600mA. Ic(impulso): 800mA. Marcatura sulla cassa: *T2, P2T, T2T, W2T. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf(massimo): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/codice SMD P2T, T2T, W2T, transistor complementare (coppia) PMBT4401. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236AB. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: PMV213SN. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.9A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 5.5 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 9.5 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 330pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Costo): 19pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Amplificatore per usi generali. Corrente del collettore: 0.5A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 45V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 75V. Spec info: hFE 80...450. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Amplificatore per usi generali. Corrente del collettore: 0.5A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 45V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 75V. Spec info: hFE 240...600. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 75pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Amplificatore per usi generali. Corrente del collettore: 0.5A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 45V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Spec info: hFE 80...450. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 45pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Amplificatore per usi generali. Corrente del collettore: 0.5A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 45V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Spec info: hFE 240...600. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 75pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Funzione: Amplificatore per usi generali. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 35. Corrente del collettore: 0.6A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 75V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS