PHB45N03LT

PHB45N03LT. C(in): 920pF. Costo): 260pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 52 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor di potenza ad effetto di campo, Controllo del livello logico. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 45A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 0.05uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 86W. Rds sulla resistenza attiva: 0.016 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 78 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: TrenchMOS transistor. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-404. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 25V. Voltaggio gate/source Vgs: 15V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 14/01/2025, 13:25.