P5504ED

P5504ED. C(in): 690pF. Costo): 310pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 15.5 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Miglioramento del livello logico. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 28W. Rds sulla resistenza attiva: 0.065 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 19.8 ns. Td(acceso): 6.7 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 40V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 14/01/2025, 13:25.